Термодинамическое моделирование расплавов полупроводниковых систем AIII–BV

Н. И. Ильиных, И. А. Малкова

АННОТАЦИЯ

В настоящей работе с использованием методики термодинамического моделирования и программного комплекса TERRA проведено исследование равновесного состава и термодинамических характеристик бинарных расплавов Ga–Sb, Al–Sb, In⎯Sb в широком интервале температур и составов. Проведено исследование температурных зависимостей парциальных давлений компонентов газовой фазы, образующейся над расплавами системы АIIIBV, где AIII – Ga, In, Al; BV – Sb. Построены концентрационные зависимости содержания активностей компонентов, парциальных и интегральных характеристик смешения расплавов. Показано, что для всех исследованных расплавов наблюдаются большие отрицательные отклонения от закона Рауля. Этот факт обусловлен наличием ассоциатов и свидетельствует о сильном взаимодействии между компонентами расплава. Построены температурные зависимости логарифмов парциальных давлений компонентов газовой фазы. Показано, что для компонентов газовой фазы, образующейся над расплавами Ga–Sb, Al–Sb, In–Sb, эти зависимости являются линейными.

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:

полупроводниковые материалы, галлий, сурьма, алюминий, индий, термодинамическое моделирование, расплав, газовая фаза, свойства.

Размещено в металлургические процессы, моделирование.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *